nguyên nhân gây ra sự giảm mạnh điện trở của quang trở khi bị chiếu bức xạ có bước sóng đủ ngắn là

A,electron bị bức ra khỏi quang trở làm nó mang điện dương và dẫn điện tốt

B.các electron trong quang trở hấp thụ được năng lượng và chuyển động nhanh hơn

C.các ion dương trong quang trở bị bẽ gãy liên kết và chuyển động tự do tham gia dẫn điện

D.các electron liên kết được giải phóng làm tăng cường lượng hạt tải điện trong quang trở

Câu nào dưới đây nói về các hạt tải điện trong chất bán dẫn là đúng ?

A. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại n chỉ là các êlectron dẫn.

B. Các hạt tải điện trong chất bán dẫn loại p chỉ là các lỗ trống.

C. Các hạt tải điện trong chất bán dần luôn bao gồm cả êlectron dẫn và lỗ trống.

D. Cả hai loại hạt tải điện gồm êlectron dẫn và lỗ trống đều mang điện âm.

Chiếu một chùm tia laze hẹp có công suất 2 mW và bước sóng 0,7 μm vào một chất bán dẫn Si thì hiện tượng quang điện trong xảy ra. Biết cứ 5 hạt photon bay vào thì có 1 hạt photon bị electron hấp thụ và sau khi hấp thụ photon thì electron này được giải phóng khỏi liên kết. Số hạt tải điện sinh ra khi chiếu tia laze trong 4 s là

A. 5,635.10¹⁷

B. 1,127.10¹⁶

C. 5,635.10¹⁶.

D. 1,127.10¹⁷.

Chiếu một chùm tia laze hẹp có công suất 2 mW và bước sóng 0,7 μm vào một chất bán dẫn Si thì hiện tượng quang điện trong xảy ra. Biết cứ 5 hạt photon bay vào thì có 1 hạt photon bị electron hấp thụ và sau khi hấp thụ photon thì electron này được giải phóng khỏi liên kết. Số hạt tải điện sinh ra khi chiếu tia laze trong 4 s là

A.

B.

C.

D. 

Chiếu một chùm tia laze hẹp có công suất 2 mW và bước sóng 0,7 μm vào một chất bán dẫn Si thì hiện tượng quang điện trong xảy ra. Biết cứ 5 hạt photon bay vào thì có 1 hạt photon bị electron hấp thụ và sau khi hấp thụ photon thì electron này được giải phóng khỏi liên kết. Số hạt tải điện sinh ra khi chiếu tia laze trong 4 s là

A. 5 , 635 . 10 17

B. 1 , 127 . 10 16

C. 5 , 635 . 10 16

D. 1 , 127 . 10 17

Câu nào dưới đây nói về lớp chuyển tiếp p-n là không đúng ?

A. Lớp chuyển tiếp p-n là chỗ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên một tinh thể bán dẫn.

B. Tại lớp chuyển tiếp p-n, do quá trình khuếch tán và tái hợp của các êlectron và lỗ trống nên hình thành một lớp nghèo hạt tải điện và có điện trở rất lớn.

C. Ở hai bên lớp nghèo, về phía bán dẫn n có các ion axepto tích điện dương, về phía bán dẫn p có các ion đôno tích điện âm.

D. Lớp chuyển tiếp p-n có tính chất chỉ cho dòng điện chạy qua nó theo một chiều nhất định từ miền p sang miền n nên được sử dụng làm điôt bán dẫn.

Khi chiếu bức xạ điện từ thích hợp vào chất bán dẫn thì giải phóng ra các electron dẫn và để lại các lỗ trống. Chọn phát biểu đúng.

A. Chỉ các lỗ trống đóng vai trò là các hạt tải điện.

B. Chỉ các electron đóng vai trò là các hạt tải điện.

C. Cả các lỗ trống và các electron đóng vai trò là các hạt tải điện.

D. Cả các lỗ trống và các electron đều không phải là các hạt tải điện.

Khi chiếu bức xạ điện từ thích hợp vào chất bán dẫn thì giải phóng ra các electron dẫn và để lại các lỗ trống. Chọn phát biểu đúng.

A. Chỉ các lỗ trống đóng vai trò là các hạt tải điện

B. Chỉ các electron đóng vai trò là các hạt tải điện

C. Cả các lỗ trống và các electron đóng vai trò là các hạt tải điện

D. Cả các lỗ trống và các electron đều không phải là các hạt tải điện

Khi chiếu bức xạ điện từ thích hợp vào chất bán dẫn thì giải phóng ra các electron dẫn và để lại các lỗ trống. Chọn phát biểu đúng.

A. Chỉ các lỗ trống đóng vai trò là các hạt tải điện.

B. Chỉ các electron đóng vai trò là các hạt tải điện.

C. Cả các lỗ trống và các electron đóng vai trò là các hạt tải điện.

D. Cả các lỗ trống và các electron đều không phải là các hạt tải điện.